Новое поступление
Характеристики
*Текущая стоимость 15 023,50 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"
| Месяц | Минимальная цена | Макс. стоимость | Цена |
|---|---|---|---|
| Jun-23-2026 | 19079.68 руб. | 19461.62 руб. | 19270 руб. |
| May-23-2026 | 15474.28 руб. | 15783.46 руб. | 15628.5 руб. |
| Apr-23-2026 | 18779.99 руб. | 19155.30 руб. | 18967 руб. |
| Mar-23-2026 | 18629.75 руб. | 19002.18 руб. | 18815.5 руб. |
| Feb-23-2026 | 14873.68 руб. | 15170.69 руб. | 15021.5 руб. |
| Jan-23-2026 | 18328.86 руб. | 18695.40 руб. | 18511.5 руб. |
| Dec-23-2025 | 18178.5 руб. | 18542.2 руб. | 18360 руб. |
| Nov-23-2025 | 18028.57 руб. | 18389.95 руб. | 18208.5 руб. |
Описание товара



ОдиночныйБоковая полировка одинарного кристалла кремния
Технические характеристики:
Монокристаллическая Кремниевая подложка
1. Длина 5 мм, ширина 5 мм, толщина 0,65 мм , С переключением между дальним и сбоку Толщина оксида 300nm. 2. На одной стороне Полированная 3,100 штук P типа 4.Допинг ЭлTP типа BМатериал:
Монокристаллический Кремний высокой чистоты, двухсторонняя полировка, удельное сопротивление: 0,0001-100Область применения:
1.PVD/CVD покрытие подложки
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки
3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Процесс литографии полупроводников и так далее







Смотрите так же другие товары: