Новое поступление
Характеристики
*Текущая стоимость 5 292,55 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"
| Месяц | Минимальная цена | Макс. стоимость | Цена |
|---|---|---|---|
| Jul-24-2026 | 6297.78 руб. | 6612.20 руб. | 6454.5 руб. |
| Jun-24-2026 | 6245.27 руб. | 6557.86 руб. | 6401 руб. |
| May-24-2026 | 5239.65 руб. | 5501.37 руб. | 5370 руб. |
| Apr-24-2026 | 6139.81 руб. | 6446.49 руб. | 6292.5 руб. |
| Mar-24-2026 | 5345.85 руб. | 5612.57 руб. | 5478.5 руб. |
| Feb-24-2026 | 6033.80 руб. | 6335.48 руб. | 6184 руб. |
| Jan-24-2026 | 5980.50 руб. | 6279.62 руб. | 6129.5 руб. |
| Dec-24-2025 | 5927.54 руб. | 6223.20 руб. | 6075 руб. |
| Nov-24-2025 | 5874.94 руб. | 6168.99 руб. | 6021 руб. |
Описание товара



ОдиночныйБоковая полировка одинарного кристалла кремния
Технические характеристики:
Одинарный кристалл, 20*20 мм.Коробка передач длина волны1200-14000nm.Односторонняя полировка, в месте.
Материал:
Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. N/P опционально.
Область применения:
1.PVD/CVD покрытие подложки
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки
3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Процесс литографии полупроводников и так далее








Смотрите так же другие товары: