328 транзисторный тестер Конденсатор СОЭ Индуктивный резистор метр LCR NPN PNP MOS |



Сохраните в закладки:

Цена:RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

328 транзисторный тестер Конденсатор СОЭ Индуктивный резистор метр LCR NPN PNP MOS |

История изменения цены

*Текущая стоимость уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Jul-25-2026 0.18 руб. 0.19 руб. 0 руб.
Jun-25-2026 0.68 руб. 0.89 руб. 0 руб.
May-25-2026 0.42 руб. 0.29 руб. 0 руб.
Apr-25-2026 0.82 руб. 0.50 руб. 0 руб.
Mar-25-2026 0.90 руб. 0.37 руб. 0 руб.
Feb-25-2026 0.55 руб. 0.21 руб. 0 руб.
Jan-25-2026 0.35 руб. 0.37 руб. 0 руб.
Dec-25-2025 0.42 руб. 0.61 руб. 0 руб.
Nov-25-2025 0.23 руб. 0.61 руб. 0 руб.

Описание товара

328 транзисторный тестер Конденсатор СОЭ Индуктивный резистор метр LCR NPN PNP MOS |328 транзисторный тестер Конденсатор СОЭ Индуктивный резистор метр LCR NPN PNP MOS |328 транзисторный тестер Конденсатор СОЭ Индуктивный резистор метр LCR NPN PNP MOS |328 транзисторный тестер Конденсатор СОЭ Индуктивный резистор метр LCR NPN PNP MOS |328 транзисторный тестер Конденсатор СОЭ Индуктивный резистор метр LCR NPN PNP MOS |


HTB1TcO4LXXXXXXaXXXXq6xXFXXXtHTB1dO9ELXXXXXawXVXXq6xXFXXX4HTB1I0GLLXXXXXbZXFXXq6xXFXXXKHTB1YOWxLXXXXXawaXXXq6xXFXXXl

Технические характеристики:

  • Стандартная конфигурация для хоста + тестовый крюк + Блокировка типа линии/SMD тестовое сиденье
  • Размеры: 90*58*23 (мм)
  • Вес (включая вложения): менее 200 граммов



Примечание:
Перед измерением емкости конденсатор должен быть разряжен, в противном случае, очень возможно повреждение прибора.


Особенности:

  • Одна кнопка, автоматическое отключение, ток выключения составляет всего около 20 на.
  • Может автоматически обнаруживать NPN, PNP биполярные транзисторы, n-канал и p-канал MOS FET, JFET, диоды, два диода, низкомощный однонаправленный и двунаправленный тиристорный Тиристор.
  • Автоматическое идентификационное Контактное расположение компонентов, измерение коэффициента усиления тока биполярного транзистора и порогового напряжения основного излучателя.
  • Защитные диоды могут обнаруживать биполярные транзисторы и трубки MOS, измеряя пороговое напряжение и емкость ворот MOS FET.
  • Он может одновременно измерять два резистора и символ резистора. Отображение 4 десятичных значений справа.
  • На стороне символа сопротивления указан контактный номер. Поэтому вы можете измерить потенциометр. Если стеклоочиститель потенциометра не будет передан в определённое экстремальное положение, вы можете отличить середину и оба конца штифтов.
  • Разрешение измерения сопротивления 0,1 Ом, можно измерить 50 м Ом.
  • Два диода могут отображаться в правильном порядке и диодном символе, и дает диодное прямое напряжение.
  • Светодиодный индикатор обнаруживается в качестве диода, его напряжение на вперед выше. Комбинированный светодиодный индикатор считается двумя диодами. Обратное напряжение поломки ниже 4,5 в Диод Зенера можно определить.
  • Результаты измерений показывают, что только один элемент.
  • Время измерения составляет около 2 с, просто больше времени измерения емкости и индуктивности.


Смотрите так же другие товары: